MoS2二硫化鉬薄膜低溫氧等離子體處理對(duì)其性能的影響

等離子體是氣體被施加高壓，同時(shí)激發(fā)出足夠的能量，離化成等離子狀態(tài)。這種狀態(tài)被視為物質(zhì)存在的第四種狀態(tài)，其內(nèi)含有活性基、分子、電子和離子等，等離子體整體呈現(xiàn)電中性，常被用來(lái)?yè)诫s和刻蝕材料表面。通過(guò)氧等離子體處理向MoS2薄膜引入缺陷，可以更加穩(wěn)定的實(shí)現(xiàn)電荷的束縛。

MoS2二硫化鉬薄膜低溫氧等離子體處理對(duì)其性能的影響

文章出處：等離子清洗機(jī)廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時(shí)間：2023-03-31

TMDCs組成的化合物具有三種性質(zhì)：金屬性、半金屬性和半導(dǎo)體性，如圖1.1所示。MoS2薄膜是TMDCs的一種材料，它具有優(yōu)異的半導(dǎo)體性可以應(yīng)用于邏輯電路的制造。

圖 1.1 44 種形成單層 H 型或T 型 MX2 結(jié)構(gòu)的化學(xué)式

等離子體是氣體被施加高壓，同時(shí)激發(fā)出足夠的能量，離化成等離子狀態(tài)。這種狀態(tài)被視為物質(zhì)存在的第四種狀態(tài)，其內(nèi)含有活性基、分子、電子和離子等，等離子體整體呈現(xiàn)電中性，常被用來(lái)?yè)诫s和刻蝕材料表面。通過(guò)氧等離子體處理向MoS2薄膜引入缺陷，可以更加穩(wěn)定的實(shí)現(xiàn)電荷的束縛。

低溫氧等離子體處理過(guò)程

涉及的實(shí)驗(yàn)儀器是電容耦合等離子體處理儀，反應(yīng)原理圖如圖2.2所示。設(shè)置的具體參數(shù)如下：
（1）樣品分別編號(hào)為1^#~4^#，樣品1#作為本征態(tài)的樣品不處理；
（2）將單層MoS2薄膜放于基片上，密封后抽真空，直至腔壓力為8Pa，之后通入氣源（氧氣），使反應(yīng)腔內(nèi)壓力保持在~28Pa；
（3）功率調(diào)至50W，在13.56MHz放電頻率下，開(kāi)始進(jìn)行輝光等離子體放電，當(dāng)看見(jiàn)腔內(nèi)出現(xiàn)輝光時(shí)，開(kāi)始計(jì)時(shí)；
（4）樣品2^#-4^#分別計(jì)時(shí)10s、20s和40s，停止輝光放電。

圖2.2 低溫等離子體處理儀的原理示意圖

處理后樣品光學(xué)顯微鏡圖像
MoS2器件的研究日益受到關(guān)注，通過(guò)等離子體的處理改變材料的性能，在未來(lái)也有著重要的研究?jī)r(jià)值。低溫氧等離子體處理后光鏡圖，如3.3所示，可以看出處理對(duì)樣品的形貌造成了較大的改變。
圖3.3（b）展示了樣品在低溫等離子體環(huán)境中反應(yīng)了10s，可以發(fā)現(xiàn)處理后單層MoS2薄膜的顏色接近于襯底顏色；圖3.3（c）為處理20s后樣品的光鏡圖；圖3.3（d）為處理40s后樣品的光鏡圖，可以看出樣品的形態(tài)發(fā)生了改變。光鏡圖只能表征樣品的宏觀的信息，如需探究樣品的內(nèi)部結(jié)構(gòu)變化需要運(yùn)用Raman和AFM測(cè)試配合分析。

圖 3.3 低溫氧等離子體處理后單層 M o S 2 薄膜的光學(xué)顯微鏡圖。（a）樣品 1 # 的光鏡圖，（b）樣品 2 # 處理 1 0 s 的光鏡圖，（ c）樣品 3 # 處理 2 0 s 的光鏡圖和（ d）樣品 4 # 處理 4 0 s 的光鏡圖。

處理后樣品拉曼散射光譜的變化
前文已經(jīng)闡述了處理前單層MoS2薄膜拉曼峰位置的情況，面內(nèi)振動(dòng)峰E12g位于387.3cm^-1和面外振動(dòng)峰位置A1g位于405.5cm^-1左右。低溫氧等離子體處理后單層MoS2薄膜的Raman散射光譜，如圖3.4所示。

圖 3.4 低溫氧等離子體處理后單層 MoS2 薄膜的Raman散射光譜圖。

經(jīng)過(guò)10s處理后，可以觀察到單層MoS2薄膜的E¹₂g和A₁g的峰位向右發(fā)生了較大的偏移，峰強(qiáng)有了較大的減弱，但兩峰位的間距沒(méi)有發(fā)生明顯的改變。峰位向高波數(shù)移動(dòng)，即材料內(nèi)部被引入P型摻雜。在反應(yīng)腔中反應(yīng)20s后，Raman散射光譜圖中E12g和A1g的峰位相較于處理10s的樣品又向右偏移，峰強(qiáng)產(chǎn)生了很大的降低。反應(yīng)40s后單層MoS2薄膜的兩個(gè)特征峰消失，表明反應(yīng)后光鏡中的材料已經(jīng)不是單層MoS2薄膜。產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因是低溫氧等離子體處理后，MoS2薄膜中被摻入了氧原子以及反應(yīng)生成的Mo的多種氧化物。樣品峰位的改變最大的原因是外層的S原子被O原子替代，引起外層晶格平面的改變。由于Mo的多種氧化物處于亞穩(wěn)態(tài)，極易向穩(wěn)定態(tài)的MoO3轉(zhuǎn)變，下文皆以MoO3做解析，其反應(yīng)化學(xué)式為。

2MoS₂+7O₂→2MoO₃+4SO₂

AFM表征等離子體處理前后單層二硫化鉬薄膜的表面形貌
材料表面形貌影響器件的性能，當(dāng)材料的粗糙度值Ra較大時(shí)，電極與材料產(chǎn)生接觸問(wèn)題，造成接觸勢(shì)壘增大，降低器件性能。納米材料表征中應(yīng)用最為廣泛的是AFM，最基本的是可以對(duì)形貌進(jìn)行表征，AFM還可以從多角度研究納米材料的電學(xué)和力學(xué)性能。

低溫氧等離子體處理前后單層MoS2薄膜的形貌圖如3.5所示。從圖3.5（a）中可以看到樣品的表面均勻，幾乎看不到雜質(zhì)，僅在單層MoS2薄膜周?chē)膮^(qū)域殘留少量的膠。本次實(shí)驗(yàn)采用的是機(jī)械剝離后，直接轉(zhuǎn)移，依靠單層MoS2薄膜和SiO2/Si之間的范德華力吸附在襯底表面，不會(huì)出現(xiàn)熱轉(zhuǎn)移產(chǎn)生的褶皺和鼓泡現(xiàn)象。低溫氧等離子體處理10s后，樣品的形貌發(fā)生了變化，表面出現(xiàn)較多裂紋，如圖3.5（b）。發(fā)生上述現(xiàn)象的原因是樣品在低溫氧等離子體的環(huán)境中，氧離子打破了Mo-S鍵，在晶界處形成裂紋，產(chǎn)生了可以觀測(cè)的形貌變化。明顯看出樣品3#的厚度小于樣品2#，產(chǎn)生該現(xiàn)象的原因是處理20s后出現(xiàn)刻蝕效應(yīng)，減薄樣品。反應(yīng)40s后MoS2薄膜的形態(tài)消失，變化為顆粒狀物質(zhì)。分析現(xiàn)象產(chǎn)生的原因是在長(zhǎng)時(shí)間的劇烈條件下樣品的Mo-S鍵全部被打破，Mo原子和原子發(fā)生了較為復(fù)雜的反應(yīng)（生成MoO₃），導(dǎo)致樣品厚度增加。

圖 3.5 低溫氧等離子體處理后單層 M o S 2 薄膜形貌圖。（a）樣品 1 # 的厚度~ 1 nm；（ b）樣品 2 # 的厚度~ 5 nm；（ c）樣品 3 # 的厚度~ 3.5 nm；（ d）樣品 4 # 的厚度~ 6 nm。

本文通過(guò)光學(xué)顯微鏡、Raman和AFM探究了低溫氧等離子體處理前后樣品微觀結(jié)構(gòu)的變化。分析Raman散射光譜的變化，發(fā)現(xiàn)經(jīng)過(guò)低溫氧等離子體處理后，樣品的兩個(gè)峰位都向右發(fā)生偏移，原因是樣品在處理過(guò)程中引入了p型摻雜。通過(guò)AFM探索樣品的表面形貌和粘附力，發(fā)現(xiàn)樣品的粗糙度和粘附力的均方根值呈現(xiàn)先增大后減小的趨勢(shì)，原因是經(jīng)過(guò)短時(shí)間的處理，單層MoS2薄膜表面吸附了較多活性基團(tuán)，親水性增強(qiáng)，造成粘附力值增大；經(jīng)較長(zhǎng)時(shí)間反應(yīng)后，單層MoS2薄膜表面物理性質(zhì)發(fā)生改變，生成（MoO₃），粘附力的均方根值降低。

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