等離子體清洗技術(shù)分類
文章出處:等離子清洗機(jī)廠家 | 深圳納恩科技有限公司| 發(fā)表時間:2023-07-31
等離子體是一種經(jīng)過電離后的特殊氣體狀態(tài),組成這種電離氣體的主要成分有激發(fā)態(tài)的原子或分子、中性的原子或分子和離化的原子或分子。
等離子體清洗技術(shù)的基本原理主要是利用放電擊穿氣體時所產(chǎn)生的高能量活化等自由基(正離子、負(fù)離子、電子、光子、激發(fā)態(tài)的分子、基態(tài)分子等)直接作用于被清洗物質(zhì)表面并與吸附化合物發(fā)生物理、化學(xué)作用而達(dá)到清潔表面的目的。
等離子體清洗技術(shù)分類
等離子體清洗技術(shù)可以根據(jù)等離子體的放電方式(CCP、ICP、ECR)分為CCP等離子體清洗技術(shù)、ICP等離子體清洗技術(shù)、ECR等離子體清洗技術(shù)。
CCP等離子體清洗技術(shù)原理
容性耦合放電(CCP)最初產(chǎn)生用于工業(yè)生產(chǎn)的薄膜沉積和等離子體刻蝕,其主要結(jié)構(gòu)為兩個平行極板(陽極板和陰極板),一平行極板加13.56MHz的射頻電流,另一平行極板接地,射頻能量主要通過兩極板的電勢差耦合到等離子體中,使其電離。但容性耦合的電離率很低,因此等離子體密度(電子密度)一般為1014-1016m-3,電子溫度在2-4eV之間。
ICP等離子體清洗技術(shù)原理
ICP又叫電感耦合等離子體,其利用感生電磁場(感性耦合)放電方式獲得的等離子體密度往往比電勢差(容性耦合)放電方式獲得的等離子體密度要高,通常電子密度在1016m-3-1018m-3區(qū)間內(nèi),電子溫度在2-4ev區(qū)間內(nèi)。在感性耦合放電模式(H模式)中,射頻能量主要通過通電線圈饋入到等離子體中,此時容性耦合放電方式的電勢差不占主導(dǎo),而通過通電線圈產(chǎn)生的感生電磁場激發(fā)等離子體。
ECR等離子體清洗技術(shù)原理
微波加熱放電方式常見的是ECR放電(電子回旋共振放電)。其主要放電原理為射頻能量以電磁波的方式耦合到等離子體中。例如ECR等離子體放電中,在磁場作用下,電磁波在等離子體中傳播,最后電磁波能量被等離子體吸收,ECR所需要的磁場條件為幾千高斯、所需的頻率為GHz量級。波加熱等離子體放電獲得等離子體具有高密度,低耗能的特性。其獲得的等離子體密度通常在1018m-3-1020m-3范圍內(nèi),電子溫度在1-4eV范圍中。
以上就是國產(chǎn)等離子清洗機(jī)廠家納恩科技關(guān)于等離子體清洗技術(shù)分類的介紹,以上分類依據(jù)是按照等離子體的放電方式不同而分類的,根據(jù)等離子體產(chǎn)生的壓力的不同,等離子體清洗技術(shù)還可分為低壓等離子體清洗技術(shù)和常壓等離子體清洗技術(shù)。